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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導(dǎo)體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動態(tài)導(dǎo)通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關(guān)。IR-HiRel不僅節(jié)省了功率，降低了系統(tǒng)的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統(tǒng)的整體效率。

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  88E3083-C1-LKJ1C000以太網(wǎng)收發(fā)器Marvell 2023-10-09 16:51:15

  Marvell??Alaska?88E3082和88E3083是根據(jù)Marvell DSP的第三代8端口10/100BASE-T迅速以太網(wǎng)（FE）收發(fā)器。88E3083-C1-LKJ1C000提供行業(yè)內(nèi)最低的功能損耗，各個端口僅有150mW，從而實現(xiàn)較高的端口密度和較低的FE交換機成本。